전자회로실험 8 - 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT) 특성 보고서

BJT

쌍극성 트랜지스터는 실리콘이나 게르마늄을 이용하여 만들어진다.

 

트랜지스터의 형태로는 npn과 pnp가 있으며,

npn은 두 개의 n형 사이에 p형 재료가 놓이는 것이고

pnp는 두개의 p형 사이에 n형 재료가 놓이는 것이다.

 

쌍극성 트랜지스터는

중간층인 베이스(Base), 바깥 두 층이 각각 컬랙터(Collector)와 이미터(Emitter)를 만든다.

 

베이스는 폭이 좁으며 도핑이 중간 정도로 저항이 크다.

 

이미터는 도핑이 가장 많이 되어 있고 폭도 가장 넓으며 캐리어를 제공한다.

 

마지막으로 컬랙터는 베이스 영역을 지나온 캐리어가 모두 모이는 영역으로 도핑 농도가 가장 낮다.