밴드갭 (2) 썸네일형 리스트형 물리전자공학 6 - 밴드 갭의 특성, 전자친화도 1. 밴드 갭 에너지 (Band gap energy) $$ E_{g}(T)=E_{g}(0)- \frac{\alpha T^{2}}{T+T_{o}} $$ 이므로 밴드 갭 에너지는 물질 고유의 값이기 하지만 온도에 따라 변화하는 값입니다. - 주요 반도체의 밴드 갭 에너지 - InSb Ge Si GaAs GaP ZnSe Eg 0.18 [eV] 0.67 [eV] 1.12 [eV] 1.42 [eV] 2.25 [eV] 2.7 [eV] 2. 도체, 반도체, 절연체 간의 밴드 갭 에너지 위 그림과 같이 도체는 Eg의 값이 0이기 때문에 전도 대역과 가전자 대역 사이의 전자 이동이 자유롭습니다. 절연체는 Eg의 값이 크기 때문에 전도 대역과 가전자 대역 사이의 전자 이동이 어렵습니다. 반도체는 Eg의 값이 절연체와 도체.. 물리전자공학 5 - 에너지 밴드, 가전자 대역, 전도 대역, 밴드 갭 1. 물리상수 $$ 1. \ 전하량 \ q=1.6 \times 10^{-19} \ [C] $$ $$ 2. \ 진공 \ 유전율 \ \epsilon _{0}=8.854 \times 10^{-14} \ [F/cm] $$ $$ 3. \ 볼츠만 \ 상수 \ k=1.38 \times 10^{-23} \ [J/K] = 8.62 \ times 10^{-5} \ [eV/K] $$ $$ 4. \ 플랑크 \ 상수 \ h=6.63 \times 10^{-34} \ [J \cdot s] = 4.14 \times 10^{-15} \ [eV \cdot s] $$ $$ 5. \ 자유 \ 전자 \ 질량 \ m_{0}=9.1 \times 10^{-31} \ [kg] $$ $$ 6. \ 상온 \ 열에너지 \ kT = 0.026 \ [eV].. 이전 1 다음
