밴드갭 에너지 (1) 썸네일형 리스트형 물리전자공학 12 - 진성 반도체 (Intrinsic semiconductor) 1. 진성 반도체 (Intrinsic semiconductor) 진성 반도체(Intrinsic semiconductor)는 불순물이 들어가지 않은 순수한 반도체를 뜻합니다. 진성 반도체는 주변 열적 에너지가 가해지면 전자와 정공 쌍이 생성되는데 그때 쌍의 농도를 진성 캐리어 농도 (Intrinsic carrier concentration) 라고 하며 ni로 표기 합니다. $$ n_{i}=n_{0}=p_{0} $$ 2. 진성 반도체 페르미 레벨 진성 반도체에서는 페르미 레벨을 $$ E_{i} \ 또는 \ E_{Fi} $$ 로 표기합니다. $$ \frac{p_{0}}{n_{0}}=1 \ 을 \ 사용하여 $$ $$ \therefore E_{i}= \frac{1}{2}(E_{c}+E_{v})+ \Delta E_.. 이전 1 다음
