전도대역 (3) 썸네일형 리스트형 물리전자공학 8 - 드리프트 전류 (Drift current) 1. 드리프트 (Drift) 반도체 내에서 전압을 인가 하면 전기장(E)이 만들어 지는데 전자는 -q만큼의 전하를 가지고 있기 때문에 전기장과 반대되는 방향(양의 전압 방향)으로 움직이고 정공은 +q 만큼의 전하를 가지고 있기 때문에 전기장과 같은 방향(음의 전압 방향)으로 움직입니다. 이렇게 전자와 정공(Carrier)이 정전기적 힘을 받아 움직이는 현상을 드리프트(Drift) 라고 합니다. $$ F=QE $$ 이므로 전자가 받는 힘 F = -qE 정공이 받는 힘 F = +qE ※ 정공은 가상의 입자처럼 해석합니다. ※ 2. 드리프트 전류 (Drift current) 드리프트 전류는 드리프트 현상을 통해 발생하는 전류의 흐름 입니다. $$ 드리프트 \ 전류 \ 밀도 \ J=Q \bar{N} v_{d} .. 물리전자공학 6 - 밴드 갭의 특성, 전자친화도 1. 밴드 갭 에너지 (Band gap energy) $$ E_{g}(T)=E_{g}(0)- \frac{\alpha T^{2}}{T+T_{o}} $$ 이므로 밴드 갭 에너지는 물질 고유의 값이기 하지만 온도에 따라 변화하는 값입니다. - 주요 반도체의 밴드 갭 에너지 - InSb Ge Si GaAs GaP ZnSe Eg 0.18 [eV] 0.67 [eV] 1.12 [eV] 1.42 [eV] 2.25 [eV] 2.7 [eV] 2. 도체, 반도체, 절연체 간의 밴드 갭 에너지 위 그림과 같이 도체는 Eg의 값이 0이기 때문에 전도 대역과 가전자 대역 사이의 전자 이동이 자유롭습니다. 절연체는 Eg의 값이 크기 때문에 전도 대역과 가전자 대역 사이의 전자 이동이 어렵습니다. 반도체는 Eg의 값이 절연체와 도체.. 물리전자공학 5 - 에너지 밴드, 가전자 대역, 전도 대역, 밴드 갭 1. 물리상수 $$ 1. \ 전하량 \ q=1.6 \times 10^{-19} \ [C] $$ $$ 2. \ 진공 \ 유전율 \ \epsilon _{0}=8.854 \times 10^{-14} \ [F/cm] $$ $$ 3. \ 볼츠만 \ 상수 \ k=1.38 \times 10^{-23} \ [J/K] = 8.62 \ times 10^{-5} \ [eV/K] $$ $$ 4. \ 플랑크 \ 상수 \ h=6.63 \times 10^{-34} \ [J \cdot s] = 4.14 \times 10^{-15} \ [eV \cdot s] $$ $$ 5. \ 자유 \ 전자 \ 질량 \ m_{0}=9.1 \times 10^{-31} \ [kg] $$ $$ 6. \ 상온 \ 열에너지 \ kT = 0.026 \ [eV].. 이전 1 다음
