BJT (3) 썸네일형 리스트형 전자회로실험 10 - BJT의 이미터 및 컬랙터 귀환 바이어스 보고서 BJT 이미터 바이어스 BJT 이미터 바이어스는 한 개 또는 두개의 전압원을 사용하여 구성된다. B와 E 사이의 전압의 변동에 대해 비교적 안정도가 높은 방법이다. 하지만 전류에 비례하게 전압을 귀환하기 위해 E에 저항을 넣음으로써 전압이득이 낮아진다. 낮아진 전압이득을 극복하기 위해서는 E에 존재하는 저항과 캐패시터를 병렬로 부가하여 교류(AC)를 바이패스 할 수 있다. BJT 컬랙터 귀환 바이어스 BJT 컬랙터 귀환 바이어스는 기존 고정 바이어스에서 베이스 저항이 고정 전압에 연결 되어 있는 것이 아니라 트랜지스터의 컬랙터(Collector) 단자에 연결되어 있다. 타 바이어스와 비교하였을 때 안정한 동작점을 만든다. 컬랙터 귀환 바이어스는 부귀환 회로이므로 타 회로와 다르게 변수 변화에 덜 민감하다. 전자회로실험 9 - BJT의 고정 및 전압분배기 바이어스 보고서 BJT BJT는 차단, 포화, 선형에서 동작하며 외부에 연결된 회로에 의해서 트랜지스터의 동적점이 결정된다. 차단 모드에서는 트랜지스터는 근사적으로 개방 스위치처럼 동작한다. 또한 포화 모드에서는 C에서 E로 최대 전류가 흐르므로 단락 스위치처럼 동작한다. BJT 고정 바이어스 BJT 고정 바이어스 회로는 이미 고정된 바이어스 전원으로 DC 전류를 가해주는 방식이다. 간단하게 만들어지는 반면에 Q점(Q-point)이 β와 온도에 민감하다. BJT 전압분배기 바이어스 BJT 전압분배기 바이어스는 베이스 회로가 두개의 저항에 의해 전압이 분배되어진 방식이다. 전압분배기 바이어스는 귀환 배열을 사용하여, β가 아닌 외부에 의존한다. 전자회로실험 8 - 쌍극성 접합 트랜지스터(BJT) 특성 보고서 BJT 쌍극성 트랜지스터는 실리콘이나 게르마늄을 이용하여 만들어진다. 트랜지스터의 형태로는 npn과 pnp가 있으며, npn은 두 개의 n형 사이에 p형 재료가 놓이는 것이고 pnp는 두개의 p형 사이에 n형 재료가 놓이는 것이다. 쌍극성 트랜지스터는 중간층인 베이스(Base), 바깥 두 층이 각각 컬랙터(Collector)와 이미터(Emitter)를 만든다. 베이스는 폭이 좁으며 도핑이 중간 정도로 저항이 크다. 이미터는 도핑이 가장 많이 되어 있고 폭도 가장 넓으며 캐리어를 제공한다. 마지막으로 컬랙터는 베이스 영역을 지나온 캐리어가 모두 모이는 영역으로 도핑 농도가 가장 낮다. 이전 1 다음
