물리전자공학 13 - 외인성 반도체(Extrinsic semiconductor), 도핑(Doping), 도펀트, 이온화 에너지
1. 도핑 (Doping)과 도펀트 (dopant) 이전 게시물을 통해 페르미 레벨 (Fermi level, EF)이 전도 대역 (Conduction band)에 가까워 질 수록 전자가 더 많은 반도체 (n형 반도체, n-type)가 되고, 페르미 레벨 (Fermi level, EF)이 가전자 대역 (Valence band)에 가까워 질 수록 정공이 더 많은 반도체 (p형 반도체, p-type)가 되는 것을 알았습니다. 이처럼 각 유형의 반도체를 만들기 위해 (페르미 레벨을 조절하기 위해) 도핑을 합니다. 불순물 (도펀트, dopant)은 반도체에 주입하는 것이고 도핑 (Doping)은 반도체에 불순물 (도펀트, dopant)을 주입하는 것 입니다. 이렇게 순수한 반도체인 진성 반도체 (intrinsic..
